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光刻机把图案印上去之后，1hth 会根据印上去的图案刻蚀掉，光刻机标记出来应去除的区域和留下剩余的部分。蚀刻机的工作流程主要分前后段。前段一般是硅及硅的化合物的蚀刻，后段主要是金属和电介质的蚀刻。刻蚀技术按工艺分类可分为湿法刻蚀与干法刻蚀。其中湿法刻蚀又包括化学刻蚀与电解刻蚀。湿法刻蚀一般只用于清洗，很少做图案。干法刻蚀是目前主流的刻蚀技术，它是以等离子体干法刻蚀为主导。光刻只在光刻胶上做好图案，而在硅片上是没有图案的，需要用干法刻蚀的等离子体蚀刻硅片。可以想象，像是垂直硅片上下的一场大雨，没有光刻胶保护的硅片就会被轰击，相当于在硅片上挖出一个洞或者槽。做好之后，光刻胶可以通过湿法蚀刻洗去，这样才能得到有图案的硅片。
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